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interferoMETER IMS5420-TH

シリコンウェーハの高精度な厚さ測定

高精度なインラインウェーハ厚さ検査のための白色光干渉計

IMS5420 は、単結晶シリコンウェーハの非接触式厚さ測定に対応した高性能な白色光干渉計です。コントローラには、波長範囲が1,100 nmの広帯域スーパールミネッセントダイオード (SLED) が搭載されています。そのため、わずか1台の測定システムで、未ドープ/ドープ/高ドープのSiウェーハの厚さ測定を行うことができます。IMS5420は1 nm未満の信号安定性を実現します。その際に、厚さを24 mmの距離から測定することができます。

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特徴

  1. 未ドープウェーハ、ドープウェーハ、高ドープウェーハのナノメートル精度の厚さ測定
  2. マルチピーク:シリコン厚さが0.05~1.05 mmの5層までの検知
  3. z軸方向の1 nmの高分解能
  4. 最大6 kHzの測定レートによる高速測定
  5. Ethernet / EtherCAT / RS422 / PROFINET / EtherNet/IP
  6. Webインターフェースを介した容易なパラメータ設定
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Micro-Epsilon Japan K.K.
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精密なウェーハ厚さ測定

波長範囲1,100 nmのシリコンウェーハの光学的透明性により、IMS5420干渉計は厚さを精密に検出することができます。この波長範囲では、未ドープシリコンもドープウェーハも十分な透明性があります。そのため、1.05 mmまでのウェーハの厚さを検出できます。エアギャップの測定可能な厚さは、最大4 mmにもなります。

IMS5420 干渉計は、未ドープシリコンウェーハ、ドープシリコンウェーハ、高ドープシリコンウェーハの厚さ測定が可能であるため、幅広い用途にお使いいただけます。このウェーハ厚さ測定システムは、幾何学的厚さが500~1050 μmで、かつドーピングが6 m Ω cmまでの単結晶シリコンウェーハの測定に適しています。高ドープウェーハであっても、0.8 mmの厚さまで測定することができます。これは、ドーピングの増大に伴い透明度が低下するためです。

ラッピング中の精確な厚さ測定

ウェーハの製造では、結晶シリコンインゴットが約1 mmの薄いディスクに切断されます。続いてディスクが研削され、所望の厚さと表面品質を得るためにラッピングされます。高いプロセス安定性を得るために、interferoMETERは、ラップ盤および研削盤でのインライン厚さ測定に使用されています。センサのコンパクトなフォームファクタにより、限られた設置スペースにも組み込むことができます。厚み値は、機械の制御やウェーハの品質検査に使用されます。

モデル 測定範囲/測定開始距離 直線性 測定可能な層数 用途
IMS5420-TH24     0.05~1.05 mm(シリコンの場合、n=3.82)
0.2~4 mm(エアの場合、n=1)/作動範囲が約6 mmで約24 mm
< ±100 nm 1層 研削後や研磨後などのインライン厚さ測定。
IMS5420MP-TH24 1層の場合:< ±100 nm
複数層の場合:< ±200 nm
5層まで コーティング後の層厚の品質検査時などのインライン厚さ測定
IMS5420/IP67-TH24 < ±100 nm 1層 ラッピング中および研削中の工業用途インライン厚さ測定

 

機械およびシステムに統合するための最先端インターフェース

コントローラには、Ethernet、EtherCAT、RS422といった統合インターフェースおよび追加のエンコーダ接続部、アナログ出力、同期入力、デジタルI/Oが搭載されています。マイクロエプシロン社のインターフェースモジュールによって、PROFINETと EthernetIPを利用することができます。そのため、干渉計をすべての制御システムと生産プログラムに組み込むことができます。